3DG2058S Todos los transistores

 

3DG2058S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG2058S

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: TO92S

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3DG2058S datasheet

 ..1. Size:211K  lzg
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3DG2058S

2SC2058S(3DG2058S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(

 8.1. Size:119K  china
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3DG2058S

3DG2053(2SC2053) NPN PCM TA=25 600 mW ICM 300 mA Tjm 135 Tstg -55 135 V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=10mA 17 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=15V 20 A IEBO VCB=3V 20 A VCE=5V hFE 50 IC=10mA 1. E

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3DG2058S

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3DG2058S

2SC2001(3DG2001) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. , h /Features High total power dissipation, FE low V and high h . CE(sat) FE /Absolut

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