3DG2058S - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 3DG2058S
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO92S
Аналоги (замена) для 3DG2058S
3DG2058S - технические параметры
3dg2058s.pdf
2SC2058S(3DG2058S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(
3dg2053.pdf
3DG2053(2SC2053) NPN PCM TA=25 600 mW ICM 300 mA Tjm 135 Tstg -55 135 V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=10mA 17 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=15V 20 A IEBO VCB=3V 20 A VCE=5V hFE 50 IC=10mA 1. E
3dg2001.pdf
2SC2001(3DG2001) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. , h /Features High total power dissipation, FE low V and high h . CE(sat) FE /Absolut
Другие транзисторы... 3DG1906 , 3DG1921 , 3DG1923 , 3DG1959 , 3DG1959M , 3DG19A , 3DG2001 , 3DG2053 , 2N2222 , 3DG2060 , 3DG210 , 3DG2102 , 3DG2120 , 3DG2216 , 3DG2216M , 3DG2218A , 3DG2219 .
History: 3DG3439
History: 3DG3439
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet





