Справочник транзисторов. 3DG2058S

 

Биполярный транзистор 3DG2058S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG2058S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82

Корпус транзистора: TO92S

Аналоги (замена) для 3DG2058S

 

 

3DG2058S Datasheet (PDF)

1.1. 3dg2058s.pdf Size:211K _china

3DG2058S
3DG2058S

2SC2058S(3DG2058S) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于高频放大。 Purpose: High frequency amplifier. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 ℃ j T -55~150 ℃ stg 电性能参数/Electrical characteristics(

4.1. 3dg2053.pdf Size:119K _china

3DG2058S

3DG2053(2SC2053)型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 600 mW 极 ICM 300 mA 限 Tjm 135 ℃ 值 Tstg -55~135 ℃ V(BR)CBO ICB=1mA ≥40 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥17 V 直 V(BR)EBO IEB=1mA ≥4.0 V 流 ICBO VCB=15V ≤20 μA 参 IEBO VCB=3V ≤20 μA 数 VCE=5V hFE ≥50 IC=10mA 外 引 1. E 发射极 线

 5.1. 3dg2001.pdf Size:467K _china

3DG2058S
3DG2058S

2SC2001(3DG2001) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于收音机、录音机输出级的一般放大。/Purpose: Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. 特点:集电极耗散功率大,饱和压降低、高 h 。/Features: High total power dissipation, FE low V and high h . CE(sat) FE 极限参数/Absolut

5.2. 3dg2060.pdf Size:345K _china

3DG2058S
3DG2058S

2SC2060(3DG2060) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于 1~2W 低频放大。 Purpose:1~2W low frequency amplifiers. 特点:集电极耗散功率大,饱和压降低,可与 2SA934(3CG934)互补。 Features: High P , low collector saturation voltage, complementary pair with 2SA934(3CG934). C 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


3DG2058S
  3DG2058S
  3DG2058S
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top