3DG2060 Todos los transistores

 

3DG2060 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG2060
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO92L
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DG2060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  foshan
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3DG2060

2SC2060(3DG2060) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : 12W Purpose:12W low frequency amplifiers. :,, 2SA934(3CG934) Features: High P , low collector saturation voltage, complementary pair with 2SA934(3CG934). C/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.1. Size:119K  china
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3DG2060

3DG2053(2SC2053) NPN PCM TA=25 600 mW ICM 300 mA Tjm 135 Tstg -55~135 V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=10mA 17 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=15V 20 A IEBO VCB=3V 20 A VCE=5V hFE 50 IC=10mA 1. E

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3DG2060

2SC2058S(3DG2058S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(

 9.3. Size:467K  lzg
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3DG2060

2SC2001(3DG2001) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. :, h /Features: High total power dissipation, FElow V and high h . CE(sat) FE/Absolut

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History: PBSS5240X | 2N5034 | MPS3417 | FJV3101R | 2SC2961 | CHUMH2GP

 

 
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