3DG2060 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 3DG2060
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO92L

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG2060

3DG2060 Datasheet (PDF)

..1. Size:345K foshan
3dg2060.pdf

2SC2060(3DG2060) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : 12W Purpose:12W low frequency amplifiers. :,, 2SA934(3CG934) Features: High P , low collector saturation voltage, complementary pair with 2SA934(3CG934). C/Absolute maximum ratings(Ta=25)

9.1. Size:119K china
3dg2053.pdf

3DG2053(2SC2053) NPN PCM TA=25 600 mW ICM 300 mA Tjm 135 Tstg -55~135 V(BR)CBO ICB=1mA 40 V V(BR)CEO ICE=10mA 17 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VCB=15V 20 A IEBO VCB=3V 20 A VCE=5V hFE 50 IC=10mA 1. E

9.2. Size:211K lzg
3dg2058s.pdf

2SC2058S(3DG2058S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 25 V CEO V 5.0 V EBO I 50 mA C P 300 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(

9.3. Size:467K lzg
3dg2001.pdf

2SC2001(3DG2001) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. :, h /Features: High total power dissipation, FElow V and high h . CE(sat) FE/Absolut

Otros transistores... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: BSV23L | TN2218 | 2N3946 | MD2219AFHXV

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050