3DG3020 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG3020
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 80 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO18
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3DG3020 datasheet
3dg3020.pdf
NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DG3020 MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A C V 450V CEO P (TO-92) 1W C P (IPAK) 10W C P (TO-126/DPAK) 20W C APPLICATIONS TO-92-FJ TO-126 Battery charger Electronic ballasts High
3dg3020.pdf
3DG3020 NPN A B C PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 I
3dg3020a1.pdf
NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
Otros transistores... 3DG2873 , 3DG2878 , 3DG2881 , 3DG2881A , 3DG2884 , 3DG2909 , 3DG2999 , 3DG302 , A1013 , 3DG3020A1 , 3DG3130 , 3DG3137 , 3DG3142 , 3DG3326 , 3DG3330 , 3DG3332 , 3DG3355 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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