3DG3020. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DG3020
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для 3DG3020
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DG3020 даташит
3dg3020.pdf
NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DG3020 MAIN CHARACTERISTICS Package I 1.5A C V 450V CEO P (TO-92) 1W C P (IPAK) 10W C P (TO-126/DPAK) 20W C APPLICATIONS TO-92-FJ TO-126 Battery charger Electronic ballasts High
3dg3020.pdf
3DG3020 NPN A B C PCM TA=25 800 mW ICM 1000 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 120 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 100 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=20V 0.5 A ICEO VCE=20V 1.0 A IEBO VEB=2V 0.5 A VBEsat 1.0 I
3dg3020a1.pdf
NPN R 3DG3020 A1 3DG3020 A1 NPN VCEO 450 V IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
Другие транзисторы: 3DG2873, 3DG2878, 3DG2881, 3DG2881A, 3DG2884, 3DG2909, 3DG2999, 3DG302, A1013, 3DG3020A1, 3DG3130, 3DG3137, 3DG3142, 3DG3326, 3DG3330, 3DG3332, 3DG3355
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238





