3DG3326 Todos los transistores

 

3DG3326 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG3326

Código: HPA_HPB

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT23

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3DG3326 datasheet

 ..1. Size:314K  foshan
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3DG3326

2SC3326(3DG3326) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose For muting and switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 20 V CEO V 12 V EBO I 300 mA C I 60 mA B P 150 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical ch

 9.1. Size:112K  jiangsu
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3DG3326

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 3DG3332 TRANSISTOR (NPN) TO 92 FEATURES 1.EMITTER Low Current High Voltage 2. COLLECTOR 3.BASE APPLICATIONS Video Telephony Professional Communication Equipment MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180

 9.2. Size:111K  china
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3DG3326

3DG3399(2SC3399) NPN PCM TA=25 300 mW ICM 100 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.01m 50 V A V(BR)CEO ICE=0.1mA 50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 10 V ICBO VCB=40V 0.1 A ICEO VCB=40V 0.5 A IEBO VEB=5V 80 A IC=5mA VCEsat 0.3 V

 9.3. Size:161K  china
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3DG3326

2SC3356(3DG3356) NPN /SILION NPN TRANSISTOR Purpose low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band applications. Features Low noise and high power gain. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Uni

Otros transistores... 3DG2909 , 3DG2999 , 3DG302 , 3DG3020 , 3DG3020A1 , 3DG3130 , 3DG3137 , 3DG3142 , 13005 , 3DG3330 , 3DG3332 , 3DG3355 , 3DG3356 , 3DG3357 , 3DG3399 , 3DG3402 , 3DG3439 .

 

 

 


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