3DG383TM Todos los transistores

 

3DG383TM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG383TM

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO92

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3DG383TM datasheet

 ..1. Size:207K  lzg
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3DG383TM

2SC383TM(3DG383TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose TV final picture IF amplifier applications. G =33dB( )(f=45MHz),h pe FE Features High gain G =33dB(Typ)(f=45MHz),good linearity of h . pe FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol R

 8.1. Size:324K  foshan
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3DG383TM

2SC3838K(3DG3838K) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR , Features High f small NF. T, /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 20 V CBO V 11 V CEO V 3.0 V EBO I 50 mA C P 200 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical charac

 9.1. Size:187K  foshan
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3DG383TM

2SC3841(3DG3841) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose For use as UHF oscillator and a UHF mixer in a turner of a TV receiver. - Features High f ,low collector to base time constant, low output capacita

 9.2. Size:196K  lzg
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3DG383TM

2SC380TM(3DG380TM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency amplifier applications. G =29dB( )(f=10.7MHz) pe Features High power Gain G =29dB(Typ.)(f=10.7MHz). pe /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V CBO 35 V V 30 V

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