3DG4081W Todos los transistores

 

3DG4081W Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG4081W

Código: HBQ_HBR_HBS

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT323

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3DG4081W datasheet

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3DG4081W

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3DG4081W

2SC4081(3DG4081) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose General amplifier. Features Low C ob. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 7.0 V EBO I 150 mA C P 200 mW C T 150 j T -55 150

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3DG4081W

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3DG4081W

2SC4097(3DG4097) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Medium power transistor. , 2SA1577(3CG1577) Features Low C , complements the 2SA1577(3CG1577). ob /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0

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