3DG42 Todos los transistores

 

3DG42 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG42
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG42 Datasheet (PDF)

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3DG42

3DG42 NPN PCM TA=25 300 mW ICM 500 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1A 300 V V(BR)CEO ICE=1.0mA 300 V V(BR)EBO IEB=0.1A 6.0 V ICBO VCB=200V 100 nA IEBO VEB=6V 100 nA VBEsat IC=20mA 0.5 V IB=2mA VCEsat 0.9 VCE=10V hFE 40 IC=10mA

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