2N912 Todos los transistores

 

2N912 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N912
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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2N912 Datasheet (PDF)

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2N912

The documentation and process conversion measuresINCH-POUNDnecessary to comply with this amendment shall becompleted by 6 June 2001. MIL-S-19500/274CAMENDMENT 16 March 2001MILITARY SPECIFICATIONSEMICONDUCTOR DEVICE, NPN, SILICON, TRANSISTORSTYPES 2N910, 2N910S, 2N911, 2N911S, 2N912, AND 2N912S, JAN AND JANTXInactive for new design after 7 June 1999.This amendment forms a par

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