3DG945M Todos los transistores

 

3DG945M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG945M
   Código: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG945M Datasheet (PDF)

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3DG945M

2SC945M(3DG945M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier application and low speed switching. :,/Features: High voltage, excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO

 8.1. Size:420K  lzg
 3dg945.pdf pdf_icon

3DG945M

2SC945(3DG945) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: AF amplifier and low speed switching applications. :, h /Features: High voltage, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E

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