3DG945M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG945M
Código: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 90
Encapsulados: SOT23
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3DG945M datasheet
3dg945m.pdf
2SC945M(3DG945M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose General power amplifier application and low speed switching. , /Features High voltage, excellent h linearity. FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO
3dg945.pdf
2SC945(3DG945) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose AF amplifier and low speed switching applications. , h /Features High voltage, excellent h linearity. FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E
Otros transistores... 3DG8051 , 3DG817 , 3DG82 , 3DG847B , 3DG9013 , 3DG9014 , 3DG930 , 3DG945 , TIP42C , 3DK001 , 3DK002 , 3DK010 , 3DK023F , 3DK024E , 3DK030 , 3DK050 , 3DK10 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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