Справочник транзисторов. 3DG945M

 

Биполярный транзистор 3DG945M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG945M
   Маркировка: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG945M

 

 

3DG945M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  lzg
3dg945m.pdf

3DG945M
3DG945M

2SC945M(3DG945M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier application and low speed switching. :,/Features: High voltage, excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO

 8.1. Size:420K  lzg
3dg945.pdf

3DG945M
3DG945M

2SC945(3DG945) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: AF amplifier and low speed switching applications. :, h /Features: High voltage, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top