3DG945M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG945M  📄📄 

Маркировка: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG945M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG945M даташит

 ..1. Size:459K  lzg
 3dg945m.pdf pdf_icon

3DG945M

2SC945M(3DG945M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose General power amplifier application and low speed switching. , /Features High voltage, excellent h linearity. FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO

 8.1. Size:420K  lzg
 3dg945.pdf pdf_icon

3DG945M

2SC945(3DG945) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose AF amplifier and low speed switching applications. , h /Features High voltage, excellent h linearity. FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E

Другие транзисторы: 3DG8051, 3DG817, 3DG82, 3DG847B, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945, TIP42C, 3DK001, 3DK002, 3DK010, 3DK023F, 3DK024E, 3DK030, 3DK050, 3DK10