Справочник транзисторов. 3DG945M

 

Биполярный транзистор 3DG945M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG945M

Маркировка: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DG945M

 

 

3DG945M Datasheet (PDF)

1.1. 3dg945m.pdf Size:459K _china

3DG945M
3DG945M

2SC945M(3DG945M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般放大及低速开关/Purpose: General power amplifier application and low speed switching. 特点:耐压高,放大特性好/Features: High voltage, excellent h linearity. FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO

4.1. 3dg945.pdf Size:420K _china

3DG945M
3DG945M

2SC945(3DG945) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频放大及低速开关/Purpose: AF amplifier and low speed switching applications. 特点:耐压高, h 特性好/Features: High voltage, excellent h linearity. FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E

 

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


3DG945M
  3DG945M
  3DG945M
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top