Биполярный транзистор 3DG945M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG945M
Маркировка: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT23
3DG945M Datasheet (PDF)
3dg945m.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC945M(3DG945M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: General power amplifier application and low speed switching. :,/Features: High voltage, excellent h linearity. FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO
3dg945.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SC945(3DG945) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: AF amplifier and low speed switching applications. :, h /Features: High voltage, excellent h linearity. FE FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2N2220A
History: 2N2220A
![3DG945M](https://alltransistors.com/images/us.png)
![3DG945M](https://alltransistors.com/images/es.png)
![3DG945M](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ