Справочник транзисторов. 3DG945M

 

Биполярный транзистор 3DG945M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG945M

Маркировка: HCRR_HCRQ_HCRP_HCRK

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DG945M

 

 

3DG945M Datasheet (PDF)

1.1. 3dg945m.pdf Size:459K _china

3DG945M
3DG945M

2SC945M(3DG945M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般放大及低速开关/Purpose: General power amplifier application and low speed switching. 特点:耐压高,放大特性好/Features: High voltage, excellent h linearity. FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO

4.1. 3dg945.pdf Size:420K _china

3DG945M
3DG945M

2SC945(3DG945) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于音频放大及低速开关/Purpose: AF amplifier and low speed switching applications. 特点:耐压高, h 特性好/Features: High voltage, excellent h linearity. FE FE 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V E

 

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top