3DK7 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DK7
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 15 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
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3DK7 datasheet
3dk7.pdf
3DK7 NPN A B C D E F PCM TC=25 300 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 60 20 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A
mje13003dk7.pdf
MJE13003DK7(3DD13003DK7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose High frequency electronic lighting ballast applications converters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 600 V
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History: BC214L | BC275 | 2SA1605 | KT6112A | 2SB1127T
History: BC214L | BC275 | 2SA1605 | KT6112A | 2SB1127T
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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