PNT523T503E0-2 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PNT523T503E0-2
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 11 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 250
Encapsulados: SOT523
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PNT523T503E0-2 datasheet
pnt523t503e0-2.pdf
PNT523T503E0-2 High EB High DC gain Ultra-Small package switch transistor Feature 3-Collector This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Package SOT-523 Emitter -Base Breakdown Voltage 11V High DC current gain typical 380 Low Saturation Voltage 80mv 0.15 continuous collector current 2-Emitter 1-Base NPN switch transistor
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