2N2896CSM4 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N2896CSM4

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 90 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: LCC3

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2N2896CSM4 datasheet

 ..1. Size:19K  semelab
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2N2896CSM4

2N2896CSM4 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NPN SILICON TRANSISTOR 1.40 0.15 5.59 0.13 (0.055 0.006) (0.22 0.005) 0.25 0.03 (0.01 0.001) FEATURES 0.23 rad. (0.009) 3 2 0.23 NPN High Voltage Planar Transistor 4 1 min. (0.009) Hermetic Ceramic Surface Mount 1.02 0.20 2.03 0.20 Package (0.04 0.008) (0.08 0.008) Full Screenin

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2n2896.pdf pdf_icon

2N2896CSM4

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2N2896CSM4

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2896X High Voltage Hermetic TO-18 Metal package. Ideally suited for General Purpose Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 140V VCEO Collector Emitter Voltage 90V VCER Collector Emitter Voltage 140

 9.1. Size:171K  rca
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2N2896CSM4

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