2N2896CSM4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2896CSM4

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: LCC3

 Аналоги (замена) для 2N2896CSM4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2896CSM4 даташит

 ..1. Size:19K  semelab
2n2896csm4.pdfpdf_icon

2N2896CSM4

2N2896CSM4 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NPN SILICON TRANSISTOR 1.40 0.15 5.59 0.13 (0.055 0.006) (0.22 0.005) 0.25 0.03 (0.01 0.001) FEATURES 0.23 rad. (0.009) 3 2 0.23 NPN High Voltage Planar Transistor 4 1 min. (0.009) Hermetic Ceramic Surface Mount 1.02 0.20 2.03 0.20 Package (0.04 0.008) (0.08 0.008) Full Screenin

 8.1. Size:501K  rca
2n2896.pdfpdf_icon

2N2896CSM4

 8.2. Size:225K  semelab
2n2896x.pdfpdf_icon

2N2896CSM4

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR 2N2896X High Voltage Hermetic TO-18 Metal package. Ideally suited for General Purpose Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 140V VCEO Collector Emitter Voltage 90V VCER Collector Emitter Voltage 140

 9.1. Size:171K  rca
2n2898.pdfpdf_icon

2N2896CSM4

Другие транзисторы: 2N2696CSM, 2N2857C1, 2N2857C1A, 2N2857C1B, 2N2891SMD05, 2N2894AC1A, 2N2894AC1B, 2N2894ADCSM, 2SD669, 2N2896X, 2N2904ACSM, 2N2904CSM, 2N2904DCSM, 2N2905ACSM, 2N2906AL, 2N2906AUA, 2N2906AUB