2PD2150 Todos los transistores

 

2PD2150 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PD2150

Código: M2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 220 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SOT89

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2PD2150 datasheet

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2PD2150

2PD2150 20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 2 January 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement 2PB1424. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hi

 ..2. Size:124K  nxp
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2PD2150

2PD2150 20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 2 January 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement 2PB1424. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hi

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History: 2N706 | BC847BF | 2N706A-46

 

 

 

 

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