2PD2150 Todos los transistores

 

2PD2150 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2PD2150
   Código: M2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 220 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

2PD2150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  philips
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2PD2150

2PD215020 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 2 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: 2PB1424.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hi

 ..2. Size:124K  nxp
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2PD2150

2PD215020 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 2 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: 2PB1424.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Hi

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History: EMC3DXV5T5G | HSE401 | HA06 | 2SD2051 | FC1404 | CDB550 | 2SA1427O

 

 
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