1DI75F-100 Todos los transistores

 

1DI75F-100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1DI75F-100

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 500 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: M206

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 1DI75F-100

 

1DI75F-100 Datasheet (PDF)

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 Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

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