1DI75F-100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 1DI75F-100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: M206

 Аналоги (замена) для 1DI75F-100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

1DI75F-100 даташит

 ..1. Size:123K  fuji
 1di75f-100.pdf pdf_icon

1DI75F-100

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 7.1. Size:179K  fuji
 1di75f-055.pdf pdf_icon

1DI75F-100

 9.1. Size:192K  fuji
 1di75e-100.pdf pdf_icon

1DI75F-100

 9.2. Size:144K  fuji
 1di75e-055.pdf pdf_icon

1DI75F-100

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 1DI480A-055, 1DI50F-100, 1DI50H-055, 1DI50K-055, 1DI50MA-050, 1DI75E-055, 1DI75E-100, 1DI75F-055, C945, 1SC1383, 30A02CH-TL-E, 30A02MH-TL-E, 30A02MH-TL-H, 30C02CH-TL-E, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP