4N772GP Todos los transistores

 

4N772GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4N772GP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

4N772GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  chenmko
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4N772GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD4N772GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (TO-251)TO-251* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).* High saturation current capa

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