4N772GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 4N772GP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для 4N772GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4N772GP даташит

 ..1. Size:91K  chenmko
 4n772gp.pdf pdf_icon

4N772GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 4N772GP SMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 Ampere APPLICATION * Power driver and Dc to DC convertor . FEATURE * Small flat package. (TO-251) TO-251 * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time tstg= 1.0uSec (typ.) * PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate). * High saturation current capa

Другие транзисторы: 1SC1383, 30A02CH-TL-E, 30A02MH-TL-E, 30A02MH-TL-H, 30C02CH-TL-E, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, 4N1815PGP, 2SA1943, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, 4SCG5714, 4SDG110, 4SDG110K, 50A02CH-TL-E, 50A02CH-TL-H