B511 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B511

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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B511 datasheet

 ..1. Size:305K  china
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B511

B511 PNP silicon APPLICATION Audio Frequency Power Amplifier. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -35 V TO-220 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1.Base 2.Collector 3.Emitter Collector current IC -1.5 A PC Collector Power Dissipation 1.75 10 W Jun

 0.1. Size:48K  no
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B511

 0.2. Size:155K  jmnic
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B511

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB511 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD325 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base

 0.3. Size:218K  inchange semiconductor
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B511

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB511 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -35V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -1.5A CE(sat) C Complement to Type 2SD325 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for 5W AF power amplifier output applications. ABSOLUTE MA

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