BCW35X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCW35X 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO206AA
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de BCW35X
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BCW35X datasheet
bcw35x.pdf
BCW35X Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 45V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 0.6A 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JAN
Otros transistores... BCP56T1G, BCP56T3G, BCP68T1G, BCP69T1G, BCW30LT1G, BCW32LT1G, BCW33LT1G, BCW33LT3G, 2SB649, BCW65ALT1G, BCW65CLT1G, BCW66GLT1G, BCW68GLT1G, BCW70LT1G, BCW72LT1G, BCX13, BCX17CSM
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor

