2N99 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N99
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.05 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1.5 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO22
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2N99 datasheet
2n995.pdf
2N995 Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230) 5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 15V 0.48 (0.019) 0.41 (0.016) dia. IC = 2.54 (0.100) All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV an
2n995.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N995 TO-18 Metal Can Package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL 2N995 UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 15 V VCBO Collector Base Voltage 20 V VEBO Emitter Base Voltage 4 V IC Collector Current Continuous 200 mA
Otros transistores... 2N982, 2N983, 2N984, 2N985, 2N987, 2N988, 2N989, 2N98A, C945, 2N990, 2N991, 2N992, 2N993, 2N994, 2N995, 2N995A, 2N996
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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