Биполярный транзистор 2N99 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N99
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO22
2N99 Datasheet (PDF)
2n995.pdf
2N995Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 5.84 (0.230)5.31 (0.209) Hermetically sealed TO18 4.95 (0.195)4.52 (0.178)Metal Package. Bipolar PNP Device. VCEO = 15V 0.48 (0.019)0.41 (0.016)dia.IC = 2.54 (0.100)All Semelab hermetically sealed products Nom. can be processed in accordance with the requirements of BS, CECC and JAN, JANTX, JANTXV an
2n995.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N995TO-18Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL 2N995 UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 15 VVCBOCollector Base Voltage 20 VVEBOEmitter Base Voltage 4 VICCollector Current Continuous 200 mA
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
