CH837UPNGP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CH837UPNGP
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT457
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CH837UPNGP
CH837UPNGP Datasheet (PDF)
ch837upngp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH837UPNGPSURFACE MOUNT PNP&NPN Muti-Chip General Purpose TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmperesAPPLICATION* AF input stages and driver applicationon equipment.* Other general purpose applications.FEATURESC-74/SOT-457* Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-
ch837sgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH837SGPSURFACE MOUNT NPN Muti-Chip General Purpose AmplifierVOLTAGE 45 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* AF input stages and driver applicationon equipment.* Other general purpose applications.FEATURESC-74/SOT-457* Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457)* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter
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