CH837UPNGP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CH837UPNGP

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT457

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CH837UPNGP datasheet

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CH837UPNGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH837UPNGP SURFACE MOUNT PNP&NPN Muti-Chip General Purpose Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmperes APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SC-74/SOT-457 * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-

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CH837UPNGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH837SGP SURFACE MOUNT NPN Muti-Chip General Purpose Amplifier VOLTAGE 45 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SC-74/SOT-457 * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter

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