Биполярный транзистор CH837UPNGP - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CH837UPNGP
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT457
Аналоги (замена) для CH837UPNGP
CH837UPNGP Datasheet (PDF)
ch837upngp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH837UPNGPSURFACE MOUNT PNP&NPN Muti-Chip General Purpose TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmperesAPPLICATION* AF input stages and driver applicationon equipment.* Other general purpose applications.FEATURESC-74/SOT-457* Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-
ch837sgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH837SGPSURFACE MOUNT NPN Muti-Chip General Purpose AmplifierVOLTAGE 45 Volts CURRENT 0.2 AmpereAPPLICATION* AF input stages and driver applicationon equipment.* Other general purpose applications.FEATURESC-74/SOT-457* Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457)* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050