CH837UPNGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CH837UPNGP

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT457

 Аналоги (замена) для CH837UPNGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CH837UPNGP даташит

 ..1. Size:146K  chenmko
 ch837upngp.pdf pdf_icon

CH837UPNGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH837UPNGP SURFACE MOUNT PNP&NPN Muti-Chip General Purpose Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmperes APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SC-74/SOT-457 * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457 * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-

 9.1. Size:111K  chenmko
 ch837sgp.pdf pdf_icon

CH837UPNGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH837SGP SURFACE MOUNT NPN Muti-Chip General Purpose Amplifier VOLTAGE 45 Volts CURRENT 0.2 Ampere APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SC-74/SOT-457 * Small surface mounting type. (SC-74/SOT-457) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter

Другие транзисторы: CH3906TGP, CH3906VGP, CH3906WGP, CH3906ZGP, CH772GP, CH817SGP, CH817UPNGP, CH837SGP, TIP41C, CH847BGP, CH847SGP, CH847UPNGP, CH848BGP, CH857SGP, CH858BGP, CH867UNPGP, CH867UPNGP