CJ303NL Todos los transistores

 

CJ303NL . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ303NL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO-92
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJ303NL Datasheet (PDF)

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CJ303NL

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 CJ303NL TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES High DC Current Gain 2. COLLECTOR Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Volt

 9.1. Size:118K  jiangsu
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CJ303NL

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L CJ303PL TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Small Flat Package2. COLLECTOR High DC Current Gain 3. EMITTER Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage MARKING:303PL MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Ba

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History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110

 

 
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