CJ303NL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJ303NL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CJ303NL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJ303NL даташит

 ..1. Size:118K  jiangsu
 cj303nl.pdf pdf_icon

CJ303NL

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 CJ303NL TRANSISTOR (NPN) 1. EMITTER FEATURES High DC Current Gain 2. COLLECTOR Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage 3. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Volt

 9.1. Size:118K  jiangsu
 cj303pl.pdf pdf_icon

CJ303NL

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L CJ303PL TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Small Flat Package 2. COLLECTOR High DC Current Gain 3. EMITTER Ultra Low Collector-Emitter Saturation Voltage MARKING 303PL MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Ba

Другие транзисторы: CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL, 13007, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, CJP718, CM4209, CM45-12A, CM4957, CM5160