CM4957 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM4957
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 1200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO-72
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CM4957 Datasheet (PDF)
cm4957.pdf

DATA SHEETCM4957 PNP HIGH FREQUENCY SILICON TRANSISTOR TO-72 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CM4957 is a Silicon PNP RF Transistor, mounted in a hermetically sealed package, designed for high frequency amplifier and non-saturated switching applications. This device is a replacement for the 2N4957. MAXIMUM RATINGS (TA=25C) SYMBOL UNITS Collector-Base Voltage VC
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History: UN421L | BCW48A | UMT1006 | HEPS9147 | BCP5516TA | 2SD636 | 2N5848
History: UN421L | BCW48A | UMT1006 | HEPS9147 | BCP5516TA | 2SD636 | 2N5848



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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