CMLT8099 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMLT8099

Código: C89

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-563

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CMLT8099 datasheet

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CMLT8099

CMLT8099 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION DUAL NPN TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT8099 consists of two individual, isolated 8099 NPN silicon transistors, manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-563 surface mount package. This device has been designed for small signal general purpose amplifier applications. MARKING C

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CMLT8099

CMLT8099M www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DUAL, MATCHED DESCRIPTION NPN TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT8099M consists of two individual, isolated 8099 NPN silicon transistors with matched VBE(ON) characteristics. This device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-563 surface mount package. MARKING CODE 8CM SOT-563 CASE

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