CMPTH81 Todos los transistores

 

CMPTH81 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMPTH81
   Código: C3D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.85 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CMPTH81 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  central
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CMPTH81

CMPTH81www.centralsemi.comSURFACE MOUNTPNP SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications.MARKING CODE: C3D or 3DSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage V

 9.1. Size:322K  central
 cmpth10.pdf pdf_icon

CMPTH81

CMPTH10www.centralsemi.comSURFACE MOUNTNPN SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C3ESOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C)

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