CMPTH81 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMPTH81
Código: C3D
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.85 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CMPTH81
CMPTH81 Datasheet (PDF)
cmpth81.pdf
CMPTH81www.centralsemi.comSURFACE MOUNTPNP SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications.MARKING CODE: C3D or 3DSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage V
cmpth10.pdf
CMPTH10www.centralsemi.comSURFACE MOUNTNPN SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C3ESOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C)
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Liste
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