Биполярный транзистор CMPTH81 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CMPTH81
Маркировка: C3D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT-23
CMPTH81 Datasheet (PDF)
cmpth81.pdf
CMPTH81www.centralsemi.comSURFACE MOUNTPNP SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications.MARKING CODE: C3D or 3DSOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCollector-Base Voltage VCBO 20 VCollector-Emitter Voltage V
cmpth10.pdf
CMPTH10www.centralsemi.comSURFACE MOUNTNPN SILICON DESCRIPTION:RF TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications.MARKING CODE: C3ESOT-23 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C)
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050