DBC847CPDW1T1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DBC847CPDW1T1G  📄📄 

Código: 3G

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.38 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 270

Encapsulados: SOT-363

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DBC847CPDW1T1G datasheet

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DBC847CPDW1T1G

Dual General Purpose Transistors Dual General Purpose Transistors NPN/PNP Duals (Complimentary) DBC846BPDW1T1G DBC847BPDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT 363/SC 88 which is DBC847CPDW1T1G designed for low power surface mount applications. DBC848BPDW1T1G We declare that the material of product compliance wit

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