DBMT9015 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DBMT9015 📄📄
Código: M6
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 200
Encapsulados: SOT-23
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DBMT9015 datasheet
dbmt9015.pdf
DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT9015 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 3 2 = Emitter .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85) .
Otros transistores... D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, SS8050, DC0150ADJ, DC0150BDJ, DC8050, DC9018, DCP55-16-13, CHIMX1GP, CHIMX2GP, CHIMX3GP
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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