DBMT9015 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DBMT9015  📄📄 

Маркировка: M6

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для DBMT9015

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DBMT9015 даташит

 ..1. Size:193K  dc components
 dbmt9015.pdf pdf_icon

DBMT9015

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT9015 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 3 2 = Emitter .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85) .

Другие транзисторы: D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G, DBC848BPDW1T1G, DBC848CPDW1T1G, SS8050, DC0150ADJ, DC0150BDJ, DC8050, DC9018, DCP55-16-13, CHIMX1GP, CHIMX2GP, CHIMX3GP