CHT5113PGP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHT5113PGP
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CHT5113PGP
CHT5113PGP Datasheet (PDF)
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5113PGPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 6 AmperesAPPLICATION* High current amplifier.FEATURE* Small flat package. ( DPAK )DPAK* Low saturation voltage VCE(sat)=0.55V(Max.)(IC/IB=6A/0.3A) .094 (2.38).086 (2.19).022 (0.55).018 (0.45)CONSTRUCTION* NPN Cilicon Transistor(1) (3)(2).028 (0.70).019 (0.50)
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
