CHT5113PGP Todos los transistores

 

CHT5113PGP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHT5113PGP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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CHT5113PGP Datasheet (PDF)

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CHT5113PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHT5113PGPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 6 AmperesAPPLICATION* High current amplifier.FEATURE* Small flat package. ( DPAK )DPAK* Low saturation voltage VCE(sat)=0.55V(Max.)(IC/IB=6A/0.3A) .094 (2.38).086 (2.19).022 (0.55).018 (0.45)CONSTRUCTION* NPN Cilicon Transistor(1) (3)(2).028 (0.70).019 (0.50)

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History: TIP116 | KSB1023 | MMBTA42W | KRA159F | 3DD13005ED | 2SD1993 | TA1767

 

 
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