CHT5113PGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHT5113PGP  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO-252

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CHT5113PGP datasheet

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CHT5113PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5113PGP SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 6 Amperes APPLICATION * High current amplifier. FEATURE * Small flat package. ( DPAK ) DPAK * Low saturation voltage VCE(sat)=0.55V(Max.)(IC/IB=6A/0.3A) .094 (2.38) .086 (2.19) .022 (0.55) .018 (0.45) CONSTRUCTION * NPN Cilicon Transistor (1) (3) (2) .028 (0.70) .019 (0.50)

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