CHT5113PGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHT5113PGP  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-252

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для CHT5113PGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHT5113PGP даташит

 ..1. Size:82K  chenmko
 cht5113pgp.pdf pdf_icon

CHT5113PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHT5113PGP SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 6 Amperes APPLICATION * High current amplifier. FEATURE * Small flat package. ( DPAK ) DPAK * Low saturation voltage VCE(sat)=0.55V(Max.)(IC/IB=6A/0.3A) .094 (2.38) .086 (2.19) .022 (0.55) .018 (0.45) CONSTRUCTION * NPN Cilicon Transistor (1) (3) (2) .028 (0.70) .019 (0.50)

Другие транзисторы: CHT4401TGP, CHT4401WGP, CHT4403GP, CHT4403SGP, CHT4403TGP, CHT4403WGP, CHT44GP, CHT4672XGP, BD140, CHT5338ZGP, CHT5401GP, CHT5401SGP, CHT5401WGP, CHT5401XGP, CHT5401ZGP, CHT5551GP, CHT5551SGP