2PB710AR Todos los transistores

 

2PB710AR . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2PB710AR
   Código: DR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 18 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SC59
 

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2PB710AR Datasheet (PDF)

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2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL 2PD60

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2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNexperia JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL

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2PB710ARL; 2PB710ASL50 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsRev. 01 29 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.Table 1. Product overviewType number[1] Package NPN complementNXP JEDEC2PB710ARL SOT23 TO-236AB 2PD602ARL2PB710ASL 2PD60

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History: 2N6057 | ECG471

 

 
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