Биполярный транзистор 2PB710AR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2PB710AR
Маркировка: DR
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SC59
2PB710AR Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2PB602R , 2PB709AQ , 2PB709AR , 2PB709AS , 2PB709Q , 2PB709R , 2PB709S , 2PB710AQ , TIP35C , 2PB710AS , 2PB710Q , 2PB710R , 2PB710S , 2S001 , 2S002 , 2S003 , 2S004 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050
