DSC2C01 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSC2C01
Código: C9
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 140 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 400
Encapsulados: MINI3-G3-B
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DSC2C01 datasheet
dsc2c01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSC2C01 Silicon NPN epitaxial planar type For low frequency amplification Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Mini3-G3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Pi
Otros transistores... DSAF001 , DSAFG01 , DSAQ001 , DSC2001 , DSC2002 , DSC2005 , DSC2501 , DSC2A01 , MJE340 , DSC2F01 , DSC2G02 , DSC2G03 , DSC2P01 , DSC3001 , DSC3F01 , DSC3G03 , DSC4001 .
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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