DSC9F01 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSC9F01
Código: C7
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1900 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 75
Encapsulados: SSMINI3-F3-B
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DSC9F01 datasheet
dsc9f01.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). DSC9F01 Silicon NPN epitaxial planar type For high-frequency amplification DSC5F01 in SSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code High transition frequency fT SSMini3-F3-B Contributes to miniaturization of sets, reduction of component
Otros transistores... DSC8003 , DSC8004 , DSC8102 , DSC8505 , DSC8P01 , DSC8Q01 , DSC9001 , DSC9A01 , TIP2955 , DSC9G02 , DSCF001 , DSCQ001 , DSS4160DS , DSS4160T , DSS5160T , DT430 , L2SA1235FLT1G .
History: MBT3904DW2T1G | BC559AP
History: MBT3904DW2T1G | BC559AP
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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