DSCQ001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSCQ001
Código: C1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 210
Paquete / Cubierta: USSMINI3-F1-B
Búsqueda de reemplazo de DSCQ001
DSCQ001 Datasheet (PDF)
dscq001.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSCQ001Silicon NPN epitaxial planar typeFor general amplificationComplementary to DSAQ001DSC3001 in USSMini3 type package Features Package High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) USSMini3-F1-B Contributes to miniatu
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History: IR901 | RN1116 | DT4112 | MJD45H11 | AF271 | RN1114FT | KRA742U
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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