KSS1C200LT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KSS1C200LT1G

Código: VL*

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.49 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 200 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-23

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KSS1C200LT1G datasheet

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KSS1C200LT1G

SMD Type Transistors PNP Transistors NSS1C200LT1G (KSS1C200LT1G) SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 COLLECTOR 1.9+0.1 -0.1 1.Base BASE 2.Emitter 3.collector EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating U

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