KSS1C200LT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KSS1C200LT1G
Código: VL*
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.49 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: SOT-23
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KSS1C200LT1G datasheet
kss1c200lt1g.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors NSS1C200LT1G (KSS1C200LT1G) SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 COLLECTOR 1.9+0.1 -0.1 1.Base BASE 2.Emitter 3.collector EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating U
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