KSS1C200LT1G Todos los transistores

 

KSS1C200LT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KSS1C200LT1G
   Código: VL*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.49 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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KSS1C200LT1G Datasheet (PDF)

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KSS1C200LT1G

SMD Type TransistorsPNP TransistorsNSS1C200LT1G (KSS1C200LT1G)SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01COLLECTOR1.9+0.1-0.11.BaseBASE2.Emitter3.collectorEMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating U

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History: 2N1812 | BCW28

 

 
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