KSS1C200LT1G - описание и поиск аналогов

 

KSS1C200LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSS1C200LT1G

Маркировка: VL*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.49 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для KSS1C200LT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSS1C200LT1G даташит

 ..1. Size:717K  kexin
 kss1c200lt1g.pdf pdf_icon

KSS1C200LT1G

SMD Type Transistors PNP Transistors NSS1C200LT1G (KSS1C200LT1G) SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-2A Collector Emitter Voltage VCEO=-100V 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 COLLECTOR 1.9+0.1 -0.1 1.Base BASE 2.Emitter 3.collector EMITTER Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating U

Другие транзисторы: L2SA1577PT1G, FMBS2383, FMBT5401LG, GCA1943T, GMA6801, GMC6802, KSR16, KSR16-HF, D882P, KST50, KST51, KST52, KSU13003E, KSU13003ER, KSU13003HR, KSU13005A, KT9128AC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.