KST51 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KST51
Código: AS2
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: SOT-89
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KST51 datasheet
kst51.pdf
SMD Type Transistors NPN Darlington Transistors KST50; KST51; KST52 (BST50; BST51; BST52) SOT-89 Unit mm +0.1 Features 4.50+0.1 1.50-0.1 -0.1 1.80+0.1 -0.1 High current (max. 0.5 A) Low voltage (max. 80 V) Integrated diode and resistor. +0.1 +0.1 0.48-0.1 0.53+0.1 0.44-0.1 -0.1 1. Base 3.00+0.1 -0.1 2. Collector 3. Emiitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbo
kst5179.pdf
KST5179 RF Amplifier Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 20 V VCEO Collector-Emitter Voltage 12 V VEBO Emitter-Base Voltage 2.5 V IC Collector Current 50 mA PC Collector Power Dissipation (Ta=25 C) 350 mW Derate a
kst5179.pdf
KST5179 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR RF AMPLIFIER TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 20 V Collector-Emitter Voltage VCEO 12 V Emitter-Base Voltage VEBO V 2.5 Collector Current IC mA 50 mW Collector Dissipation (TA=25 ) PC 350 mW/ Derate above 25 2.8 Junction Temperature TJ 150 Storage Tem
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