EMZ51 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMZ51
Código: Z51
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 400 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: EMT6
- Selección de transistores por parámetros
EMZ51 Datasheet (PDF)
emz51.pdf

EMZ51DatasheetGeneral Purpose Transister (dual transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCEO20VIC200mA EMZ51(SC-107C) Parameter Value VCEO-20VIC-200mAlFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) 2SAR522 and 2SCR522 chips in one package.
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KSD1221 | SGSIF444 | PN3709 | PN4142 | KRA526T | 2SC1746A | BUW51
History: KSD1221 | SGSIF444 | PN3709 | PN4142 | KRA526T | 2SC1746A | BUW51



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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