EMZ51 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMZ51

Маркировка: Z51

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMZ51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMZ51 даташит

 ..1. Size:1727K  rohm
 emz51.pdf pdf_icon

EMZ51

EMZ51 Datasheet General Purpose Transister (dual transistors) lOutline l Parameter Value EMT6 VCEO 20V IC 200mA EMZ51 (SC-107C) Parameter Value VCEO -20V IC -200mA lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) 2SAR522 and 2SCR522 chips in one package.

Другие транзисторы: EMX3FHA, EMX5, EMX51, EMX52, EMY1, EMZ1FHA, EMZ2, EMZ2FHA, A1015, EMZ52, EMZ7, ETF81-050, ETG81-050A, ETL81-050, ETN35-030, F8050HPLG, F8050HQLG