EMZ52 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMZ52
Código: Z52
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: EMT6
- Selección de transistores por parámetros
EMZ52 Datasheet (PDF)
emz52.pdf

EMZ52DatasheetGeneral Purpose Transister (dual transistors)lOutlinelParameter Value EMT6VCEO50VIC100mA EMZ52(SC-107C) Parameter Value VCEO-50VIC-100mAlFeatures lInner circuitl l1) General Purpose.2) 2SAR523 and 2SCR523 chips in one package.
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: HSBD175 | BD433-10 | HSE455 | BD168 | MPS5308 | BFG520-X | BC846BR
History: HSBD175 | BD433-10 | HSE455 | BD168 | MPS5308 | BFG520-X | BC846BR



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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