EMZ52 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMZ52

Маркировка: Z52

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: EMT6

 Аналоги (замена) для EMZ52

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMZ52 даташит

 ..1. Size:1707K  rohm
 emz52.pdf pdf_icon

EMZ52

EMZ52 Datasheet General Purpose Transister (dual transistors) lOutline l Parameter Value EMT6 VCEO 50V IC 100mA EMZ52 (SC-107C) Parameter Value VCEO -50V IC -100mA lFeatures lInner circuit l l 1) General Purpose. 2) 2SAR523 and 2SCR523 chips in one package.

Другие транзисторы: EMX5, EMX51, EMX52, EMY1, EMZ1FHA, EMZ2, EMZ2FHA, EMZ51, 13007, EMZ7, ETF81-050, ETG81-050A, ETL81-050, ETN35-030, F8050HPLG, F8050HQLG, FMB2907A